Дмитрий Крапухин
![](https://sun9-26.userapi.com/s/v1/ig2/rTlFV9ECtW-3iS-vGcQQwbjaPOt_3Q3KK5PWrl9p9ntXPopBuWq7tkGzA3jyuHnQKNKLI7DgbfAAyReUtIkYLGqu.jpg?quality=95&crop=0,89,828,828&as=32x32,48x48,72x72,108x108,160x160,240x240,360x360,480x480,540x540,640x640,720x720&ava=1&cs=480x480)
Город:
Москва, Россия
Пол:
мужской
Посещение:
7 фев в 8:31
Университет:
МИРЭА (до 2015), 2012, Очное отделение, Выпускник (специалист)
Факультет: Институт электроники
Кафедра: Микросистемной техники
РТУ МИРЭА, 2016, Очное отделение, Кандидат наук
Факультет: Физико-технологический институт
Кафедра: Кафедра наноэлектроники
Факультет: Институт электроники
Кафедра: Микросистемной техники
РТУ МИРЭА, 2016, Очное отделение, Кандидат наук
Факультет: Физико-технологический институт
Кафедра: Кафедра наноэлектроники
Образование:
Школа: Школа № 789, 1997 - 1999
Школа: Школа № 1020, 1999 - 2000
Школа: Школа № 1961, 2000 - 2007
Школа: Школа № 1020, 1999 - 2000
Школа: Школа № 1961, 2000 - 2007
Деятельность:
РТУ МИРЭА
Место работы:
ИСВЧПЭ РАН
2010 - 2019
2010 - 2019
+